№ | Название | Страна | Фирма-изготовитель | Марка | Год | Возможности |
1. | Автомат разварки выводов 64000 G5 (FGK) | Германия | (FGK) Delwoteс GmbH | 64000 G5 | 2005 | Формирование внутренних выводов микросхемы |
2. | Автоматическое устройство разделения пластин на кристаллы | Япония | Disco Abrasive Systems, LTD | DAD3350 | 2005 | Разделение полупроводниковых пластин |
3. | Атомно-силовой микроскоп SmartSPM (AIST-NT) | Россия | AIST-NT | SmartSPM | 2005 | Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см |
4. | Вакуумная печь | Германия | ATV Technologie GmbH | SRO-706 | 2005 | Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы |
5. | Времяпролетный вторично-ионный масс-спектрометр TOFSIMS-5-100 (IonTOF) | Германия | IonTOF | TOFSIMS-5-100 | 2005 | Регистрация ионов с массой от 1 до 10 000 а.е.м.; разрешение по глубине от 0.5 ?; параллельное детектирование сразу всего масс-спектра; предел обнаружения бора (В) в кремнии (Si) 1016 ат./см3; предел обнаружения фосфора (P) в кремнии (Si) 1015 ат./см3; предел обнаружения других элементов от 1015 до 1019 ат./см3; линейное разрешение 80 нм |
6. | Высоковакуумная низкотемпературная система «PlasmoScope-2M» для исследования нанорельефа, магнитных и тепловых свойств наноструктур методами АСМ/СТМ/МСТ | Россия | ПРОТОН-МИЭТ | PlasmoScope-2M | 2005 | Система позволяет проводить анализ геометрических и физических параметров топографии поверхности образцов с нанометровым пространственным разрешением на воздухе, в условиях сверхвысокого вакуума и магнитном поле при различных температурах. Точность измерения латеральных размеров до 1 нм, возможно проведения измерения АСМ и СТМ методиками, измерения проводящих и непроводящих материалов, визуализация атомарной решетки. |
7. | Двулучевая система Quanta 3D FEG | Соединённые Штаты Америки | FEI | Quanta 3D FEG | 2005 | Катод Шотти с полевой эмиссией позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 1,2 нм; фокусированный ионный пучок галлия (размером не более 3 нм) позволяет проводить модификацию поверхности; прибор оборудован системой локального осаждения Pt и C на поверхность, а также микроманипулятором Kleindeik nanotechnik; микроскоп оснащен режимом низкого вакуума (10-130 Па) и режимом естественной среды (до 4000 Па и 100% отн. вл), прибор оснащен детекторами обратнорассеяных электронов |
8. | Дифрактометр многофункциональный Rigaku SmartLab | Япония | Rigaku | SmartLab | 2005 | Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%; определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;" определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах. |
9. | Зондовая установка для анализа пластин и подложек до 150 мм | Соединённые Штаты Америки | Cascade Microtech | PM5 Probe System | 2005 | Зондовая установка, оборудованная 6 зондами для измерения электрических параметров на приборах пластинах размером до 150 мм. Оснащена лазером для подгонки образцов. |
10. | Зондовая установка для тестирования микросистем в составе пластин UF200A TOKYO | Япония | TOKYO SEIMITSU CO., LTD | UF200A | 2005 | Установка тестирования микросхем в составе пластин |
11. | Камера климатическая программируемая | Япония | Espeс | MC-811P | 2005 | Испытание микросхем термоциклами |
12. | Комплекс для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств | Белоруссия | ДМТ-Электроникс | ДМТ-518 | 2005 | Для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств |
13. | Комплекс измерительный параметров аналоговых микросхем и устройств | Белоруссия | ДМТ-Электроникс | ДМТ-219 | 2005 | Измерение параметров аналоговых микросхем и устройств |
14. | Лазерный конфокальный микроскоп VL 2000 DХ (Lasertech) | Япония | Lasertech | VL 2000 DХ | 2005 | Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца. |
15. | Линия герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки с вакуумной печью и возможностью корпусирования в гелиевой среде | Великобритания | Pyramid Engineering Systems Ltd. | HPS 9206М | 2005 | Герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки |
16. | Микроскоп сканирующий "Микро 2001-01" (КБТЭМ-СО) | Белоруссия | "УП "КБТЭМ-СО"" | Микро 2001-01 | 2005 | Визуальный контроль |
17. | Микроскоп сканирующий INM 100 | Соединённые Штаты Америки | KLA-Tencor | INM100 | 2005 | Визуальный контроль |
18. | Научно-исследовательский программно-технический комплекс для испытаний электронных компонентов энергосберегающих систем | Россия | МИЭТ (Зеленоград) | 2012 | ||
19. | Оже-микрозонд PHI-670xi (Physical Electronics) | Соединённые Штаты Америки | Physical Electronics | PHI-670xi | 2005 | Вакуум в камере менее 6.7х10-8 Па; разрешение при получении изображения в оже-электронах менее 8 нм при 1 нА 20 кВ; отношения сигнала к шуму при оже анализе 700:1 при 10 нА 10 кВ; разрешение по энергии менее 0.5%; максимальный ток и плотность тока ионной пушки более 5 мкА при 5 кВ и более 3 мА/см2 при 5 кВ |
20. | Полуавтоматическая зондовая установка | Соединённые Штаты Америки | Cascade Microtech | Summit 12K | 2005 | Полуавтоматическиая зондовая система серии Summit с технологиями PureLine ™ и AttoGuard® позволят проводить исследования полным спектром измерительных приборов для пластин до 200 мм |
21. | Программно-аппаратный комплекс для проведения процессов с фотошаблонами размером 7 дюймов | Германия | Vistec | 7012 | 2005 | Позволяет формировать интегральные схемы на фотошаблонах размером 7 дюймов, используемых для контактной литографии |
22. | Профилометр | Соединённые Штаты Америки | KLA-Tencor | Alpha-Step D120 | 2005 | Разрешение по вертикали 0.5 нм; длина получаемого изображения 55 мм; диапазон перемещения по вертикали до 1.2 мм; предметный столик (диаметр 200 мм) с сервоприводами для установки образца; диапазон перемещения предметного столика 150х178 мм |
23. | Проходная камера CK-581 (Multitest Elektronische System) | Германия | Multitest Elektronische System GmbH | CK-581 | 2010 | Задание температурных режимов при проведении операций функционального и параметрического контроля микросхем |
24. | Растровый электронный микроскоп JSM-6490LV | Япония | JEOL | JSM-6490LV | 2005 | Термокатод позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 12 нм; максимальный размер образца 150х150х10 м |
25. | Рентгеноскопическая цифровая система контроля микросхем с функцией томографии | Великобритания | DAGE Precision Industries Ltd. | XD7600NT | 2005 | Рентгеноскопический цифровой контроль микросхем с функцией томографии |
26. | Система для управления пучком и прецизионной засветки фоторезиста на поверхности полупроводниковых подложек для растрового электронного микроскопа | Германия | Xenos | XeDraw 2 | 2005 | Проведение электронной литографии |
27. | Система обрезки и формовки выводов | Соединённые Штаты Америки | Fancort Industries, Inc. | 5000L-F-3A-F-1A/4 | 2005 | Обрезка выводной рамки и формовка выводов микросхемы |
28. | Система плазменного реактивно-ионного травления и обработки поверхности фотошаблона «Corial 300S» | Франция | CORIAL | Corial 300S | 2005 | Обеспечивает формирование топологических элементов с размерами нанодиапазона в маскирующем слое при прямом переносе изображения методом электронно-лучевой литографии; позволяет осуществлять замкнутый цикл изготовления фотошаблонов, включающий изготовление критических слоев с использованием RET-технологии |
29. | Система по изучению магнитооптического эффекта Керра Neoark BH-PI7892-KI | Япония | Neoark | BH-PI7892-KI | 2005 | Система предназначена для локального исследования магнитооптического эффекта Керра и наблюдения поведения магнитных доменов на тонких пленках, структурированных магнитных микроустройствах и др. Диапазон области анализа около 2 мкм; 20-ти и 50-ти кратные объективы; возможно проведение измерения при низких (2,2К) и средних (500К) температурах; тип наблюдаемого эффекта: полярный и меридиональный |
30. | Сканирующий спектральный эллипсометр Horiba Uvisel 2 | Франция | Horiba | Uvisel 2 | 2005 | Диапазон длин волн 440-848 нм; оптимальный размер области измерения 70х250 мкм и более; фиксированный угол падения 70°; точность определения показателя преломления n~0,00 |
31. | Спектральный эллипсометр AutoSe System (HORIBA Jobin Ivon) | Франция | HORIBA Jobin Ivon | AutoSe System | 2005 | Диапазон длин волн 190-2100 нм; угол падения от 35 до 90°; точность определения показателя преломления n~0,002 |
32. | Спектрометр дифракции обратнорассеяных электронов Quantax e-Flash | Германия | Bruker | Quantax e-Flash | 2005 | Анализ зерен от 1 мкм и более; база из более чем 80 000 структур; кристаллографический анали |
33. | Сухожаровой термошкаф | Великобритания | Carbolite | CR-30 | 2005 | Для проведения операций по сушке микросхем |
34. | Термический столик для проведения экспериментов при пониженных и повышенных температурах для растрового электронного микроскопа | Великобритания | Deben | MK3 COOLSTAGE | 2005 | Позволяет проводить измерения внутри камеры растрового электронного микроскопа, нагревая и охлаждая образец в диапазоне от минус 20 °С до + 150 °С, одновременно наблюдая за процессом. |
35. | Технологический комплекс групповой сборки кристаллов и соединения пластин | Германия | Suss Microtech | Substrate bonder SB6 | 2005 | Установка сращивания пластин. Предназначена для проведения процессов бондинга: предварительное сращивание для прямого сращивания, анодная посадка, сращивание с применением промежуточного слоя. Максимальная температура 450 С, максимальная сила прижима 20 кН. |
36. | Технологический комплекс жидкостного травления и химической обработки кремния Mercury style (SCR) | Чехия | SCR | Mercury style | 2005 | Предназначен для спреевой химической обработки кремниевых пластин. |
37. | Технологический комплекс напыления тонких пленок металлов | Соединённые Штаты Америки | SEGI | SEGI-RFA3-4TR | 2005 | Установка магнетронного напыления металлов. Предназначена для напыления тонких пленок металлов (алюминий, титан) |
38. | Технологический комплекс пиролитических процессов и плазмостимулированного осаждения материалов SVFUR-LH4 (SVCS) | Чехия | SVCS | SVFUR-LH4 | 2005 | Позволяет проводить PE CVD процессы осаждения нитрида, оксида и оксинитрида кремния. |
39. | Технологический комплекс плазменного, реактивно-ионного травления кремния и обработки материалов | Соединённые Штаты Америки | STS | STS | 2005 | Предназначен для сухого травления кремния (Bosch процесс, изотропное травление кремния), диэлектрических слоев и металлов. |
40. | Технологический комплекс термических процессов (диффузия и окисление) SVFUR-AH4 (SVCS) | Чехия | SVCS | SVFUR-AH4 | 2005 | Позволяет производить процессы сухого и влажного окисления кремния, диффузии фосфора, нанесения нитрида кремния. |
41. | Технологический комплекс фотолитографии и оптического контроля EVG 150 | Австрия | EVG | EVG 150 | 2005 | Полный цикл оборудования для контактной фотолитографии. Включает в себя установки отмывки, проявления и нанесения фоторезиста. Экспонирование производится на установках Suss MA/BA 6 и MA150 |
42. | Установка автоматического контроля топологии на фотошаблонах | Белоруссия | УП «КБТЭМ-ОМО» | ЭМ-6329 | 2005 | Минимальный размер обнаруживаемых дефектов 0,25 мкм, размер рабочего поля 153х153 (мм), максимальная высота рамки пелликла 8 мм, форматы проектных данных: ZBA, GDS, DXF, ЭМ-5х09, ЭМ-5х89 |
43. | Установка атомно-слоевого осаждения | Финляндия | Picosun | Sunale R-200 | 2005 | Установка позволяет наносить пленки толщиной в один атомный слой высокого качества с отличной равномерностью на самых сложных поверхностях с развитым рельефом. |
44. | Установка гидрообработки разделенных пластин | Чехия | SCR Engineering s.r.o. | UH 117 | 2005 | Гидрообработка полупровониковых пластин после операции разделения |
45. | Установка для акустических исследований объемных структур | Германия | KSI Sonic Industries GmbH | KSI v-350lm | 2005 | Неразушрающий метод анализа, который позволяет получать акустическое изображение образца и выявить такие дефекты как расслоение, наличие пустот и трещин. Позволяет определять качество процесса бондинга. Максимально разрешение 5мкм. |
46. | Установка для ионного травления и полировки | Соединённые Штаты Америки | Fischione Instruments | Model 1060 SEM Mill | 2005 | Два ионных источника; формирование полированных шлифов под углами 0-10° на глубину до 2 мм; возможность загрузки образцов диаметром 25 мм и высотой более 10 мм; вращение образца на 360°; непрерывное изменение диапазона энергии ионов от 0,1 кэВ до 6,0 кэВ; плотность ионного тока до 10 мA/см2; технологический газ – аргон (Ar);" вакуум в рабочей камере не хуже 5?10-2 Па. |
47. | Установка для проведения операции электротермотренировки микросхем УЭТТ ЩЦМ2.757.005 (ОАО "НИИПМ") | Россия | ОАО "НИИПМ" | УЭТТ ЩЦМ2.757.005 | 2011 | Установка для проведения операции электротермотренировки микросхем |
48. | Установка измерения поверхностного сопротивления | Соединённые Штаты Америки | Lucas Labs | QuadPRO | 2005 | Программное обеспечение позволяет выбирать 1, 5, 9, 25 или 49 точек для автоматического тестирования и отображения тестового образца. Шаблоны позиционирования могут быть настроены на круглую или квадратную конфигурацию. Выдает информацию о среднем удельном сопротивлении, стандартном отклонении удельного сопротивления, среднем сопротивлении образца и стандартном отклонении. |
49. | Установка контроля акустических шумов LPD-D4000 (BW) | Соединённые Штаты Америки | BW | LPD-D4000 | 2005 | Контроль наличия посторонних частиц в подкорпусном объеме микросхем |
50. | Установка контроля герметичности с камерой опрессовки в гелии | Великобритания | Pyramid Engineering Systems Ltd. | HLT 560 | 2007 | Контроль герметичности микросхем |
51. | Установка масс-спектрометрического контроля содержания паров воды внутри корпусов микросхем | Россия | ОАО "НИИПМ" | УКСП ШЦМ2.718.028 | 2005 | Установка для контроля содержания паров воды внутри корпусов микросхем |
52. | Установка монтажа кристаллов методом Flip-chip с возможностью эвтектической пайки PP5/4 (Cefor Ingenierie) | Франция | Cefor Ingenierie | PP5/4 | 2007 | Монтаж кристалла в корпус методом Flip-Chip |
53. | Установка монтажа кристаллов с возможностью эвтектической пайки PP5/2 (Cefor Ingenierie) | Франция | Cefor Ingenierie | PP5/2 | 2007 | Монтаж кристалла в корпус |
54. | Установка монтажа пелликлов 8002 (MLI) | Соединённые Штаты Америки | MLI | 8002 | 2005 | Позволяет с заданной точностью производить монтаж рамки пелликлов на рабочие и нерабочие поверхности фотошаблона с заданной точностью попадания инородных частиц на поверхность |
55. | Установка отмывки полупроводиковых пластин | Белоруссия | "УП "КБТЭМ-СО"" | ЭМ-3027 | 2009 | Гидрообработка полупровониковых пластин после операции разделения |
56. | Установка плазменной очистки | Соединённые Штаты Америки | Yield Engeniering System, Inc. | YES-G500 | 2005 | Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы |
57. | Установка тестирования и УЗ-сварки (полуавтомат) | Германия | F&K Delvotec GmbH | 56ХХ | 2005 | Формирование внутренних выводов микросхемы с системой контроля |
58. | Установка тестирования микросистем UltraFlex (Teradyne) | Соединённые Штаты Америки | Teradyne Inc. | UltraFlex | 2005 | Функциональный и параметрический контроль микросхем |
59. | Установка тестирования однокристальных микросистем (SoC) | Соединённые Штаты Америки | Teradyne Inc. | UltraFlex | 2005 | Функциональный и параметрический контроль микросхем |
60. | Установка УЗ-сварки выводов многоуровневых корпусов с системой механического контроля качества | Германия | F&K Delvotec GmbH | 5432 | 2007 | Формирование внутренних выводов микросхемы |
61. | Установка формирования шариковых выводов с возможностью термо- и ультразвуковой сварки выводов многоуровневых корпусов | Германия | F&K Delvotec GmbH | 5310 | 2007 | Формирование внутренних выводов микросхемы |
62. | Энергодисперсионный спектрометр INCA Energy 350 X-Max20 (Oxford Instruments) | Великобритания | Oxford Instruments | INCA Energy 350 X-Max20 | 2005 | Одновременная регистрация всех элементов от B до U; предел обнаружения элементов ~1019 ат./см3; разрешение по энергии 121 эВ |
63. | Энергодисперсионный спектрометр Quantax XFlash 6 | Германия | BRUKER Nano | Qantax X FLASH 6 130 | 2005 | Элементный анализ |