Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Формирование внутренних выводов микросхемы

Разделение полупроводниковых пластин

Диапазон сканирования 100х100х15 мкм (±10 %); высокая линейность позволяет использовать сканер для метрологических приложений; малошумящие датчики обратной связи позволяют получать разрешение, при котором различимы атомарные ступеньки; максимальный размер образца 5х5х1 см

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Регистрация ионов с массой от 1 до 10 000 а.е.м.; разрешение по глубине от 0.5 ?; параллельное детектирование сразу всего масс-спектра; предел обнаружения бора (В) в кремнии (Si) 1016 ат./см3; предел обнаружения фосфора (P) в кремнии (Si) 1015 ат./см3; предел обнаружения других элементов от 1015 до 1019 ат./см3; линейное разрешение 80 нм

Катод Шотти с полевой эмиссией позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 1,2 нм; фокусированный ионный пучок галлия (размером не более 3 нм) позволяет проводить модификацию поверхности; прибор оборудован системой локального осаждения Pt и C на поверхность, а также микроманипулятором Kleindeik nanotechnik; микроскоп оснащен режимом низкого вакуума (10-130 Па) и режимом естественной среды (до 4000 Па и 100% отн. вл), прибор оснащен детекторами обратнорассеяных электронов

Качественный и количественный фазовый анализ слоев в тонкопленочных структурах и дисперсных системах. Определение межплоскостных расстояний в кристаллических пленках в диапазоне линейных размеров от 0,004 до 10,000 нм. Определяемая массовая доля отдельной фазы 0,1-100,0%;
определение микро- и макронапряжений в тонкопленочных структурах. Модуль определяемых трехосных напряжений 0-400,0 МПа. Определение профиля деформации в многослойных тонкопленочных структурах с пространственным разрешением 10 нм;"
определение преимущественной ориентации кристаллитов в тонких пленках в многослойных структурах.

Зондовая установка, оборудованная 6 зондами для измерения электрических параметров на приборах пластинах размером до 150 мм. Оснащена лазером для подгонки образцов.

Установка тестирования микросхем в составе пластин

Испытание микросхем  термоциклами

Для измерения и контроля параметров высокочастотных интегральных микросхем и устройств

Измерение параметров аналоговых микросхем и устройств

Наблюдение и измерение топографии поверхности различных образцов в микронном масштабе. Позволяет получать 3D изображение поверхности образца.

Герметизации корпусов методом роликовой шовной сварки

Визуальный контроль

Визуальный контроль

Вакуум в камере менее 6.7х10-8 Па; разрешение при получении изображения в оже-электронах менее 8 нм при 1 нА 20 кВ; отношения сигнала к шуму при оже анализе 700:1 при 10 нА 10 кВ; разрешение по энергии менее 0.5%; максимальный ток и плотность тока ионной пушки более 5 мкА при 5 кВ и более 3 мА/см2 при 5 кВ

Полуавтоматическиая зондовая система серии Summit с технологиями PureLine ™ и AttoGuard® позволят проводить исследования полным спектром измерительных приборов для пластин до 200 мм

Позволяет формировать интегральные схемы на фотошаблонах размером 7 дюймов, используемых для контактной литографии

Разрешение по вертикали 0.5 нм; длина получаемого изображения 55 мм; диапазон перемещения по вертикали до 1.2 мм; предметный столик (диаметр 200 мм) с сервоприводами для установки образца; диапазон перемещения предметного столика 150х178 мм

Термокатод позволяет сфокусировать первичный электронный пучек не хуже чем 12 нм; максимальный размер образца 150х150х10 м

Рентгеноскопический  цифровой  контроль микросхем с функцией  томографии

Проведение электронной литографии

Обрезка выводной рамки и формовка выводов микросхемы

Обеспечивает формирование топологических элементов с размерами нанодиапазона в маскирующем слое при прямом переносе изображения методом электронно-лучевой литографии; позволяет осуществлять замкнутый цикл изготовления фотошаблонов, включающий изготовление критических слоев с использованием RET-технологии

Система предназначена для локального исследования магнитооптического эффекта Керра и наблюдения поведения магнитных доменов на тонких пленках, структурированных магнитных микроустройствах и др. Диапазон области анализа около 2 мкм; 20-ти и 50-ти кратные объективы; возможно проведение измерения при низких (2,2К) и средних (500К) температурах; тип наблюдаемого эффекта: полярный и меридиональный

Диапазон длин волн 440-848 нм; оптимальный размер области измерения 70х250 мкм и более; фиксированный угол падения 70°; точность определения показателя преломления n~0,00