Перечень оборудования
Центра коллективного пользования «Микросистемная техника и электронная компонетная база»

Диапазон длин волн 190-2100 нм; угол падения от 35 до 90°; точность определения показателя преломления n~0,002

Анализ зерен от 1 мкм и более; база из более чем 80 000 структур; кристаллографический анали

 Для проведения операций по сушке микросхем

Позволяет проводить измерения внутри камеры растрового электронного микроскопа, нагревая и охлаждая образец в диапазоне от минус 20 °С до + 150 °С, одновременно наблюдая за процессом.

Установка сращивания пластин. Предназначена для проведения процессов бондинга: предварительное сращивание для прямого сращивания, анодная посадка, сращивание с применением промежуточного слоя. Максимальная температура 450 С, максимальная сила прижима 20 кН.

Предназначен для спреевой химической обработки кремниевых пластин.

Установка магнетронного напыления металлов. Предназначена для напыления тонких пленок металлов (алюминий, титан)

Позволяет проводить PE CVD процессы осаждения нитрида, оксида и оксинитрида кремния.

Предназначен для сухого травления кремния (Bosch процесс, изотропное травление кремния), диэлектрических слоев и металлов.

Позволяет производить процессы сухого и влажного окисления кремния, диффузии фосфора, нанесения нитрида кремния.

Полный цикл оборудования для контактной фотолитографии. Включает в себя установки отмывки, проявления и нанесения фоторезиста. Экспонирование производится на установках Suss MA/BA 6 и MA150

Минимальный размер обнаруживаемых дефектов 0,25 мкм, размер рабочего поля 153х153 (мм), максимальная высота рамки пелликла 8 мм, форматы проектных данных: ZBA, GDS, DXF, ЭМ-5х09, ЭМ-5х89 

Установка позволяет наносить пленки толщиной в один атомный слой высокого качества с отличной равномерностью на самых сложных поверхностях с развитым рельефом.

Гидрообработка полупровониковых пластин после операции разделения

Неразушрающий метод анализа, который позволяет получать акустическое изображение образца и выявить такие дефекты как расслоение, наличие пустот и трещин. Позволяет определять качество процесса бондинга. Максимально разрешение 5мкм.

Два ионных источника;
формирование полированных шлифов под углами 0-10° на глубину до 2 мм;
возможность загрузки образцов диаметром 25 мм и высотой более 10 мм;
вращение образца на 360°;
непрерывное изменение диапазона энергии ионов от 0,1 кэВ до 6,0 кэВ;
плотность ионного тока до 10 мA/см2;
технологический газ – аргон (Ar);"
вакуум в рабочей камере не хуже 5?10-2 Па.

Программное обеспечение позволяет выбирать 1, 5, 9, 25 или 49 точек для автоматического тестирования и отображения тестового образца. Шаблоны позиционирования могут быть настроены на круглую или квадратную конфигурацию.
Выдает информацию о среднем удельном сопротивлении, стандартном отклонении удельного сопротивления, среднем сопротивлении образца и стандартном отклонении.

Контроль наличия посторонних частиц в подкорпусном объеме микросхем

Установка для контроля содержания паров воды внутри корпусов микросхем

Обработка и подготовка поверхности корпуса микросхемы

Формирование внутренних выводов микросхемы с системой контроля

Функциональный и параметрический контроль микросхем

Функциональный и параметрический контроль микросхем